復(fù)旦大學(xué)周鵬—劉春森團隊研發(fā)了不依賴先進光刻設(shè)備的自對準(zhǔn)工藝，成功實現(xiàn)了溝道長度為8納米的超快閃存器件。該器件是目前國際最短溝道閃存器件，突破了現(xiàn)今15納米硅基閃存物理尺寸極限。相關(guān)研究成果12日發(fā)表于國際期刊《自然·電子學(xué)》。
（科技日報 潘宇菲 王春）
復(fù)旦大學(xué)周鵬—劉春森團隊研發(fā)了不依賴先進光刻設(shè)備的自對準(zhǔn)工藝，成功實現(xiàn)了溝道長度為8納米的超快閃存器件。該器件是目前國際最短溝道閃存器件，突破了現(xiàn)今15納米硅基閃存物理尺寸極限。相關(guān)研究成果12日發(fā)表于國際期刊《自然·電子學(xué)》。
（科技日報 潘宇菲 王春）
